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第九十七章 国产半导体(2/2)

作者:乌鸦一号

来即便脑机连接芯片需要7nm的芯片,那时候7nm应该也能量产了。”

    程钢主要是从事生物医药领域的投资,young身为idg合伙人,不止关注生物医药领域。

    在前几年国产半导体大火的时候,young对国产半导体行业有很深的研究。

    他完全不像程钢那么乐观:

    “国产光刻机远没有外界宣传的乐观,目前国产光刻机实现了28nm的制程,但是良品率远没有asml来的高。”

    “更重要的在于28nm好研究,但是想再往前,14nm、7nm的光刻机会异常困难。”

    “目前光刻机指标有nodecd和half-pitchcd。”

    “half-pitchcd是专用于光刻领域描述光刻分辨度的技术指标。比如说前一代193i光刻机,hpcd极限值等于38nm现在的euvnxe3400b可以做到极限13nm”

    “nodecd跟hpcd不是一个概念。”

    “nodecd是一个半导体器件的概念,目前主流媒体所说的技术节点便是这个nodecd。”

    “一般来说nodecd约等于1/2*hpcd。”

    cd全称是criticaldimension

    “其中11年intel首先将finfet技术引入22nm节点。”

    “22nm要求44nm的光刻hpcd。这个要求在实际工艺中很难实现,太接近38nm极限值了。”

    “所以intel率先使用doublepatterning技术。这一技术把同一层的非常靠近的光刻图案分解到两个掩模上。分两次曝光实现。”

    “同理,self-aligned的技术也被引入,三次曝光,四次曝光都成为了可能。”

    程钢听得满脸问号,内心对young在半导体领域的造诣之深感到震惊。

    五十岁的人了对前沿技术信手拈来,能做成idg的合伙人果然都是狠人。

    他没有打断young,因为他对这方面也很感兴趣。

    “所以就光刻技术而言,分辨率并不是大问题。尤其在self-aligned技术中。deposition淀积可以实现非常好的精度控制,特别是ald,能实现atomonatom的精确控制。”

    “既然光刻图案需要被分解到多个mask上,芯片的图案自然不能由着芯片ic设计师随意画了,得遵循光刻的规则。”

    “花为海思部门有在申海的,有在鹏城的。没一家在弯弯。”

    “而这种光刻版图的规则毫无疑问是芯片代工厂的最高机密。tsmc不可能透露给客户的。海思只能把逻辑设计交给台积电,台积电再进行制造的优化。”

    “海思原始设计没办法考虑这些光刻规则。这也是为什么业界一直认为长期竞争中,intel与三星优势的原因。”

    “三星很早就把三次,甚至四次曝光技术引入了nandflash生产。”

    “因此当台积电还在22nm时,三星就开始宣传我们已经有14甚至10nm技术了。大概是13年的时候。”

    “三星与台积电在芯片代工中是竞争对手。台积电嘴巴上当然不能输。悄悄的放宽了nodecd的定义,也把自己技术从22nm吹到了14nm。”

    “这种夸大也延续到了现在,实际上三星跟台积电的7nm只比intel的14nm强一点,强的有限。”
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